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IRF640

详细参数
型号:IRF640
IRF640
制造商:STMicroelectronics
RoHS:ROHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:管件
说明:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
标准包装:50
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:MESH OVERLAY??
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1560pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
其它名称:497-2759-5
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电话:86-755-82329612/18676729218 QQ:2448046928
地址:福田区航都大厦1456
  1年年资
IRF640NPBF
INF 
TO-220 
16+ 
16550 
12-13
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  8年年资
IRF640
IR 
TO220 
16+ 
9992 
12-13
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  8年年资
IRF640N
IR 
SOT-263 
16+ 
9993 
12-13
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  8年年资
IRF640NLPBF
IR 
TO-263 
16+ 
9756 
12-13
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  8年年资
IRF640NPBF
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TO-220 
16+ 
9994 
12-13
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  8年年资
IRF640NS
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TO-263 
16+ 
10310 
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TO-263 
16+ 
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  8年年资
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SOT263 
16+ 
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12-13
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  8年年资
IRF640S
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TO-263 
16+ 
10311 
12-13
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SOT263 
16+ 
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12-13
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  8年年资
IRF640
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TO220 
16+ 
2772 
12-13
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SOT-263 
16+ 
3799 
12-13
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  8年年资
IRF640NLPBF
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TO-263 
16+ 
3800 
12-13
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  8年年资
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TO-220 
16+ 
3883 
12-13
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  8年年资
IRF640NS
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TO-263 
16+ 
3801 
12-13
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  8年年资
IRF640NSTRLPBF
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TO-263 
16+ 
3802 
12-13
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  8年年资
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SOT263 
16+ 
3803 
12-13
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  8年年资
IRF640S
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TO-263 
16+ 
3804 
12-13
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  8年年资
IRF640STRRPBF
IR 
SOT263 
16+ 
3805 
12-13
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  9年年资
IRF640NSPBF
IR 
TO-263 
18+ 
32560 
12-13
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  7年年资 
IRF640
IR 
TO220 
18+ 
20000 
12-13
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  7年年资 
IRF640A
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TO220 
18+ 
20000 
12-13
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  7年年资 
IRF640B
FSC 
TO220 
18+ 
20000 
12-13
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  7年年资 
IRF640NPBF
IR 
TO220 
18+ 
20000 
12-13
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  7年年资 
IRF640NS
IR 
TO263 
18+ 
20000 
12-13
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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
  7年年资 
IRF640NSTRL
IR 
TO263 
18+ 
20000 
12-13
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电话:086-0755-23140719 /15323480719(微信同号)
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IRF640NPBF
IR 
TO-220 
18+ 
18600 
12-13
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电话:086-0755-23140719 /15323480719(微信同号)
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IRF640NSTRRPBF
IR 
TO-263 
18+ 
9800 
12-13
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  6年年资
IRF640
IR 
TO220 
16+ 
6954 
12-13
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IRF640N
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SOT-263 
16+ 
6955 
12-13
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